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為什么在伺服驅(qū)動(dòng)器中SiC碳化硅MOSFET逐步取代IGBT!
使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅伺服驅(qū)動(dòng)器!-傾佳電子(Changer Tech)專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo) 使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT伺服驅(qū)動(dòng)器,實(shí)現(xiàn)更高的伺服驅(qū)動(dòng)器性能和效率!更小的伺服驅(qū)動(dòng)體積和重量!更低的伺服驅(qū)動(dòng)器成本! 隨著銅價(jià)暴漲高燒不退,如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn),使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本(電感磁性元件,散熱系統(tǒng),整機(jī)重量),電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代,未來(lái)已來(lái)!傾佳電子(Changer Tech)專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET! 基本半導(dǎo)體的SiC碳化硅功率器件戰(zhàn)略能夠滿足所有關(guān)鍵因素的要求:BASiCSEMI基本半導(dǎo)體多樣化的晶圓和采購(gòu)網(wǎng)絡(luò)(BASiCSEMI基本半導(dǎo)體自有晶圓廠及與代工廠相結(jié)合,BASiCSEMI基本半導(dǎo)體自有封裝廠與代工相結(jié)合)、BASiCSEMI基本半導(dǎo)體一流的平面柵器件B3M及更... [詳細(xì)介紹] |