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使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅伺服驅(qū)動(dòng)器！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT伺服驅(qū)動(dòng)器，實(shí)現(xiàn)更高的伺服驅(qū)動(dòng)器性能和效率！更小的伺服驅(qū)動(dòng)體積和重量！更低的伺服驅(qū)動(dòng)器成本！

 

隨著銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機(jī)重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代，未來(lái)已來(lái)！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET！

 

基本半導(dǎo)體的SiC碳化硅功率器件戰(zhàn)略能夠滿足所有關(guān)鍵因素的要求：BASiCSEMI基本半導(dǎo)體多樣化的晶圓和采購(gòu)網(wǎng)絡(luò)（BASiCSEMI基本半導(dǎo)體自有晶圓廠及與代工廠相結(jié)合，BASiCSEMI基本半導(dǎo)體自有封裝廠與代工相結(jié)合）、BASiCSEMI基本半導(dǎo)體一流的平面柵器件B3M及更新的溝槽器件（研發(fā)中）、BASiCSEMI基本半導(dǎo)體最全面的功率模塊封裝和電力電子建模、卓越的系統(tǒng)理解、與最廣泛的汽車、BASiCSEMI基本半導(dǎo)體工業(yè)和可再生能源客戶的合作，以及未來(lái)可根據(jù)實(shí)際市場(chǎng)需求進(jìn)行擴(kuò)展的最佳成本彈性生產(chǎn)足跡，正是這些獨(dú)特的因素，使BASiCSEMI基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件業(yè)務(wù)在未來(lái)的發(fā)展中不斷取得成功。

 

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

 

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET單管及模塊適用于各類伺服驅(qū)動(dòng)器，比如機(jī)器人、數(shù)控機(jī)械或工業(yè)自動(dòng)化等應(yīng)用。

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT，全力推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!

 

伺服驅(qū)動(dòng)器是一類通過(guò)控制伺服電機(jī)電磁場(chǎng)將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能，達(dá)到對(duì)伺服電機(jī)及負(fù)載進(jìn)行精確的轉(zhuǎn)矩、速度、位置閉環(huán)控制的設(shè)備。永磁同步電機(jī)（Permanent Magnetic Synchronous Motor， PMSM）是一種性能優(yōu)越且應(yīng)用廣泛的伺服電機(jī)類型。使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅(qū)動(dòng)器降低耗電量，讓工業(yè)生產(chǎn)更加環(huán)保、可持續(xù)。

使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)更高功率密度，通過(guò)比IGBT更小的器件達(dá)到相同性能，來(lái)實(shí)現(xiàn)更經(jīng)濟(jì)的伺服電機(jī)設(shè)計(jì)。

使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)更緊湊、更省空間的電機(jī)設(shè)計(jì)，減少材料消耗，降低散熱需求。

使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET打造的全SiC碳化硅伺服驅(qū)動(dòng)器擁有更長(zhǎng)使用壽命，且不易出故障，使得制造商能夠提供更長(zhǎng)的保修期。

使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET單管及模塊代替 IGBT 作為逆變器的核心功率器件進(jìn)行集成伺服電機(jī)設(shè)計(jì)。與 IGBT 相比，國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET單管及模塊具有非常低的開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗。國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET單管及模塊可以位于電機(jī)外殼內(nèi)，并可以通過(guò)自冷卻金屬外殼實(shí)現(xiàn)相當(dāng)大的功率輸出。

使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET打造的伺服驅(qū)動(dòng)器堵轉(zhuǎn)工況的電流控制、結(jié)溫控制，是可以進(jìn)行計(jì)算和仿真，給出計(jì)算和仿真數(shù)據(jù)給控制系統(tǒng)，作為限流控制、保護(hù)邏輯的設(shè)計(jì)參考，國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™可以提供這項(xiàng)服務(wù)。使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET打造的伺服驅(qū)動(dòng)器堵轉(zhuǎn)工作的大致過(guò)程是，伺服電機(jī)在堵轉(zhuǎn)時(shí)候，位置信號(hào)不變，逆變器的輸出角度不再變化，此時(shí)會(huì)出現(xiàn)逆變器三相輸出都是直流的情況，此時(shí)不產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，伺服電機(jī)的繞組感抗為0，只有線路電阻存在（電阻非常小，一般毫歐級(jí)），如果還是按照比較大的占空比去控制，就會(huì)在三相之間產(chǎn)生非常大的堵轉(zhuǎn)電流。這時(shí)候從控制角度，就要控制上下管占空比接近0.5，避免過(guò)大的電流產(chǎn)生。

所以，從控制角度，1、一定要嚴(yán)格控制好堵轉(zhuǎn)時(shí)刻的占空比，根據(jù)輸出電流檢測(cè)反饋實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)，避免過(guò)大電流引起國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET過(guò)熱損傷。2、輸出過(guò)流保護(hù)要加上，因?yàn)橄嚅g過(guò)流近似二類短路，不一定會(huì)使國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET完全退飽和，需要通過(guò)輸出電流傳感器檢測(cè)電流進(jìn)行過(guò)流比較判斷，封鎖脈沖。3、驅(qū)動(dòng)芯片退飽和檢測(cè)和保護(hù)功能是必須要加上的，短路保護(hù)全響應(yīng)時(shí)間根據(jù)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™SiC碳化硅MOSFET的短路耐受能量設(shè)計(jì)。

 

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來(lái)越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來(lái)越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開(kāi)關(guān)損耗，從而提高開(kāi)關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會(huì)下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過(guò)采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開(kāi)關(guān)頻率提5倍（實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

 

未來(lái)隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn)，更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開(kāi)關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此，BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開(kāi)關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動(dòng)、APF/SVG、熱泵驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器、逆變焊機(jī)、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

 

為滿足光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求，BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開(kāi)關(guān)損耗、支持更高開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn)。

針對(duì)新能源汽車的應(yīng)用需求，BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應(yīng)用在車載充電機(jī)及汽車空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)中。

B3M040120Z是BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)的最新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對(duì)于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級(jí)全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中。

BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350系列，此驅(qū)動(dòng)芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開(kāi)通，還可用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT等功率器件。

 

 

為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對(duì)成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級(jí)IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢(shì)。